上海集成电路研发中心伍强博士应邀在上海光机所“清河之光”论坛作学术报告
文章来源：上海光学精密机械研究所 | 发布时间：2019-06-18 | 【】 【】
6月6日上午，上海光机所第四十九期“清河之光”论坛在溢智厅举办。本次论坛邀请了上海集成电路研发中心伍强博士作题为“衍射极限附近的光刻工艺”的学术报告。上海光机所邹明副所长出席了报告会，所内科研人员和研究生积极参与了本期论坛并进行了学术交流。论坛由信息光学与光电技术实验室王向朝研究员主持。
自0.25微米之后，光刻工艺的分辨率接近了衍射极限。为了保持光刻工艺的性能，涌现出来很多新方法，例如离轴照明、化学放大型光刻胶、抗反射层、相移掩模、光学邻近效应校正、浸没式光刻、自由光瞳、负显影技术、多重图形技术、极紫外光刻等。伍强的报告以光刻工艺的性能需求为主线，理论结合实际，深入浅出地介绍现代光刻工艺的主要工艺与参数需求、光刻胶与抗反射层技术、光掩模技术、计算光刻技术、光学临近效应校正技术、多重图形技术、极紫外光刻/光源技术、浸没式光刻技术等几个关键方面。报告会上，伍强与多名与会人员进行了技术讨论，给了与会人员很大的启发。报告会后，伍强与本所参与相关任务研发的科研人员进行了热烈的学术讨论。
伍强博士，光刻技术资深专家，现任上海集成电路研发中心新型器件和材料实验室副主任，cstic中国国际半导体技术大会光刻分会副主席。1993年本科毕业于复旦大学物理系，1999年博士毕业于美国耶鲁大学物理系，2007～2009年担任cstc中国国际半导体技术大会光刻分会主席。先后任职于美国ibm、我国华虹nec电子有限公司、荷兰asml光刻设备（中国）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、中芯国际新技术研发有限公司，先后参与0.25微米、0.18微米、0.13微米、90纳米、65纳米、40纳米、28纳米、14纳米、10纳米等光刻技术研发，负责5纳米逻辑技术包括极紫外光刻技术的预研。共获得授权专利108项，包括美国专利22项。
“清河之光”论坛是由上海光机所主办的高层次学术交流活动，着眼于研讨本所相关科技领域以及交叉学科领域的最新前沿动态与发展趋势预测，旨在进一步活跃我所学术氛围，为我所科技人员提供良好的学习平台，鼓励学术交流，启迪和激发科技创新思维。论坛迄今已经举办了四十九期。
报告现场
